BUK6D210-60EX NEXPERIA
Symbol Micros:
TBUK6d210-60ex
Obudowa: DFN6
Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 BUK6D210-60EX BUK6D210-60EX
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 210mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 15W |
| Obudowa: | DFN06 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 210mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 15W |
| Obudowa: | DFN06 |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |