BUK7M12-60EX
Symbol Micros:
TBUK7m12-60ex
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 27mOhm; 53A; 75W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 27mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 53A |
| Maksymalna tracona moc: | 75W |
| Obudowa: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BUK7M12-60EX RoHS
Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
| ilość szt. | 1+ | 4+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,0000 | 6,3100 | 5,4600 | 5,1100 | 5,0000 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BUK7M12-60EX
Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210)
Magazyn zewnętrzny:
22500 szt.
| ilość szt. | 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,0000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 27mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 53A |
| Maksymalna tracona moc: | 75W |
| Obudowa: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |