BUK7M3R3-40H
Symbol Micros:
TBUK7m3r3-40h
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 7,2mOhm; 80A; 101W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BUK7M3R3-40HX;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 101W |
| Obudowa: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: NXP
Symbol producenta: BUK7M3R3-40HX RoHS
Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,0900 | 3,8900 | 3,2200 | 2,8200 | 2,6800 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BUK7M3R3-40HX
Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210)
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
| ilość szt. | 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,6800 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BUK7M3R3-40HX
Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210)
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt.
| ilość szt. | 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,6800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 101W |
| Obudowa: | LFPAK33 (SOT1210) |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |