BUL1603ED

Symbol Micros: TBUL1603ed
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 40; 80W; 650V; 3A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 80W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 650V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ST Symbol producenta: BUL1603ED RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,2400 4,0000 3,3100 2,9000 2,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Moc strat: 80W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 650V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta