BUT11A ON SEMICONDUCTOR

Symbol Micros: TBUT11a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 100W; 450V; 5A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 100W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 450V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BUT11A RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 6,2500 4,3800 3,6100 3,3300 3,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BUT11A RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
185 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 6,2500 4,3800 3,6100 3,3300 3,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Moc strat: 100W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 450V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN