BUX85

Symbol Micros: TBUX85
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 50; 50W; 450V; 2A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BUX85G;
Parametry
Moc strat: 50W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Obudowa: TO220
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 450V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BUX85G RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
39 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 4,5800 3,0300 2,3300 2,2200 2,1800
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
50/150
Moc strat: 50W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Obudowa: TO220
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 450V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN