BUY49S

Symbol Micros: TBUY49S
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 39
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 80; 10W; 200V; 3A; 50MHz; -65°C ~ 200°C;
Parametry
Moc strat: 10W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 80
Obudowa: TO 39
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 200V
Producent: ST Symbol producenta: BUY49S Obudowa dokładna: TO 39 karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
ilość szt. 1+ 2+ 5+ 15+
cena netto (PLN) 3,8600 3,0000 2,3000 1,8400
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów Sposób pakowania:
15
Producent: ST Symbol producenta: BUY49S Obudowa dokładna: TO 39 karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 3,8600 2,8100 2,2400 1,9800 1,8400
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów Sposób pakowania:
100
Moc strat: 10W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 80
Obudowa: TO 39
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 200V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 200°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta