CXG60N65HSE CREATEK
Symbol Micros:
TCXG60n65hse
Obudowa: TO247
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 120A; 240A; 378W; 4,0V~5,5V; 210nC; -55°C~150°C;
Parametry
| Ładunek bramki: | 210nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 378W |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 240A |
| Maksymalny prąd kolektora: | 120A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4V ~ 5,5V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | CREATEK |
| Ładunek bramki: | 210nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 378W |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 240A |
| Maksymalny prąd kolektora: | 120A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4V ~ 5,5V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | CREATEK |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Napięcie kolektor-emiter: | 650V |
| Napięcie bramka-emiter: | 30V |
| Montaż: | THT |