D44H11

Symbol Micros: TD44H11 d2pak
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor NPN; 60; 2W; 80V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJB44H11G; MJB44H11T4G; NJVMJB44H11T4G;
Parametry
Moc strat: 2W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJB44H11G RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
340 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
cena netto (PLN) 6,0400 4,2200 3,5800 3,3700 3,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ST Symbol producenta: MJD44H11T4 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: MJD44H11T4 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
97500 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 2W
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN