D45H11G

Symbol Micros: TD45H11G
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor PNP; 60; 2W; 80V; 10A; 40MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: D45H11;
Parametry
Moc strat: 2W
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO220
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Częstotliwość graniczna: 40MHz
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: ST Symbol producenta: D45H11G RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,8000 2,4000 1,9000 1,7300 1,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Producent: ST Symbol producenta: D45H11 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,8000 2,4000 1,9000 1,7300 1,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Moc strat: 2W
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO220
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Częstotliwość graniczna: 40MHz
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP