DCX114YH-7

Symbol Micros: TDCX114YH-7 Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT563
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Parametry
Moc strat: 150mW
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 68
Obudowa: SOT563
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DCX114YH-7 Obudowa dokładna: SOT563  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2299
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 150mW
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 68
Obudowa: SOT563
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 155°C
Typ tranzystora: NPN/PNP