DDTD113EC-7-F

Symbol Micros: TDDTD113EC-7-F Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 33
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 200mW
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 33
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN