DDTD113EC-7-F

Symbol Micros: TDDTD113EC-7-F Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 33
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DDTD113EC-7-F Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7276
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DDTD113EC-7-F Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
102000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0973
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 200mW
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 33
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta