DDTD113ZC-7-F

Symbol Micros: TDDTD113ZC-7-F Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 56
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 250mW
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 56
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN