DGC40F120M2 DONGHAI
Symbol Micros:
TDGC40f120m2
Obudowa: TO247
Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 80A; 160A; 388W; 4,5V~6,5V; 198nC; -45°C~175°C;
Parametry
| Ładunek bramki: | 198nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 388W |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 160A |
| Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,5V ~ 6,5V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | Donghai |
| Ładunek bramki: | 198nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 388W |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 160A |
| Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,5V ~ 6,5V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | Donghai |
| Temperatura pracy (zakres): | -45°C ~ 175°C |
| Napięcie kolektor-emiter: | 1200V |
| Napięcie bramka-emiter: | 30V |
| Montaż: | THT |