30H10K DONGHAI

Symbol Micros: TDH30h10k
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5.5mOhm; 100A; 60W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 5,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 100A
Maksymalna tracona moc: 60W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Donghai
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: WXDH Symbol producenta: 30H10K RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
148 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 40+ 148+ 740+
cena netto (PLN) 1,3500 0,8610 0,6240 0,5340 0,4920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
148
Producent: WXDH Symbol producenta: 30H10K RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
182 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 352+ 1760+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6280 0,4890 0,4480 0,4280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
352
Rezystancja otwartego kanału: 5,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 100A
Maksymalna tracona moc: 60W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Donghai
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta