DMG1012T-7
Symbol Micros:
TDMG1012T-7
Obudowa: SOT523
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 6V; 700mOhm; 630mA; 280mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG1012TQ-7; DMG1012T-13;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 700mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 630mA |
| Maksymalna tracona moc: | 280mW |
| Obudowa: | SOT523 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 700mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 630mA |
| Maksymalna tracona moc: | 280mW |
| Obudowa: | SOT523 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 6V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
DMG1012T-7 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG1012T-13;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
DMG1012T-7 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT523
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,5940 | 0,2720 | 0,1480 | 0,1110 | 0,0990 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)