DMG1012T-7

Symbol Micros: TDMG1012T-7
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT523
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 6V; 700mOhm; 630mA; 280mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG1012TQ-7; DMG1012T-13;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 700mOhm
Maksymalny prąd drenu: 630mA
Maksymalna tracona moc: 280mW
Obudowa: SOT523
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1012T-7 RoHS Obudowa dokładna: SOT523 karta katalogowa
Stan magazynowy:
26094 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8690 0,4130 0,2320 0,1760 0,1580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1012T-7 Obudowa dokładna: SOT523  
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
ilość szt. 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 700mOhm
Maksymalny prąd drenu: 630mA
Maksymalna tracona moc: 280mW
Obudowa: SOT523
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 6V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta