DMG1012T-7

Symbol Micros: TDMG1012T-7
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT523
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 6V; 700mOhm; 630mA; 280mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG1012TQ-7; DMG1012T-13;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 700mOhm
Maksymalny prąd drenu: 630mA
Maksymalna tracona moc: 280mW
Obudowa: SOT523
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1012T-7 RoHS Obudowa dokładna: SOT523 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10100 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5330 0,2450 0,1330 0,0996 0,0889
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1012T-7 NA1..RoHS Obudowa dokładna: SOT523 karta katalogowa
Stan magazynowy:
89 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5330 0,2450 0,1330 0,0996 0,0889
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1012T-13 Obudowa dokładna: SOT523  
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1029
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1012T-7 Obudowa dokładna: SOT523  
Magazyn zewnetrzny:
441000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1004
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1012T-7 Obudowa dokładna: SOT523  
Magazyn zewnetrzny:
3972000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1248
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-11-30
Ilość szt.: 39000
Rezystancja otwartego kanału: 700mOhm
Maksymalny prąd drenu: 630mA
Maksymalna tracona moc: 280mW
Obudowa: SOT523
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 6V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta