DMG1013T-7 Diodes

Symbol Micros: TDMG1013T-7
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT523
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 6V; 1,3Ohm; 460mA; 270mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 460mA
Maksymalna tracona moc: 270mW
Obudowa: SOT523
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 6V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1013T-7 RoHS Obudowa dokładna: SOT523 karta katalogowa
Stan magazynowy:
3920 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7100 0,3370 0,1900 0,1440 0,1290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1013T-7 RoHS Obudowa dokładna: SOT523 karta katalogowa
Stan magazynowy:
420 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7100 0,3370 0,1900 0,1440 0,1290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
420
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1013T-7 Obudowa dokładna: SOT523  
Magazyn zewnętrzny:
57000 szt.
ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 1,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 460mA
Maksymalna tracona moc: 270mW
Obudowa: SOT523
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 6V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD