DMG1013UW-7
Symbol Micros:
TDMG1013UW-7 Diodes
Obudowa: SOT323
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 6V; 1,5Ohm; 820mA; 310mW; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 820mA |
| Maksymalna tracona moc: | 310mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG1013UW-7 RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8250 | 0,3920 | 0,2200 | 0,1670 | 0,1500 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG1013UW-7
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
204000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1500 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG1013UW-7
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
1779000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1514 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG1013UW-7
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1500 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG1013UW-7
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1391 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG1013UW-7
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1269 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG1013UW-7
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
1305000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1271 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 820mA |
| Maksymalna tracona moc: | 310mW |
| Obudowa: | SOT323 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 6V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |