DMG1024UV-7

Symbol Micros: TDMG1024UV-7 Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT563
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 6V; 10Ohm; 1,38A; 530mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 1,38A
Maksymalna tracona moc: 530mW
Obudowa: SOT563
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1024UV-7 Obudowa dokładna: SOT563  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3448
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMG1024UV-7 Obudowa dokładna: SOT563  
Magazyn zewnetrzny:
72000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3331
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 1,38A
Maksymalna tracona moc: 530mW
Obudowa: SOT563
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 6V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta