DMG3414U Diodes
Symbol Micros:
TDMG3414u
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 37mOhm; 4,2A; 780mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMG3414U-7;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 37mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 780mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG3414U RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2000 | 0,6600 | 0,4370 | 0,3640 | 0,3420 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMG3414U-7
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3861 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 37mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 780mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |