DMMT3906W

Symbol Micros: TDMMT3906w
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor 2xPNP; 300; 200mW; 40V; 200mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMMT3906W-7-F
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: DIODES
Obudowa: SOT363
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMMT3906W-7-F K4B. Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 150+ 710+ 3550+
cena netto (PLN) 0,8730 0,3790 0,2490 0,2080 0,1940
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
710
Moc strat: 200mW
Producent: DIODES
Obudowa: SOT363
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xPNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta