DMN2004K-7 Diodes
Symbol Micros:
TDMN2004k
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 900mOhm; 630mA; 350mW; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 630mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2004K-7 Pbf NAB
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6600 | 0,3120 | 0,1750 | 0,1320 | 0,1200 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2004K-7
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
147000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2150 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2004K-7
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2363 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 630mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |