DMN2056U-7

Symbol Micros: TDMN2056U-7 Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 38mOhm; 4A; 660mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: DMN2056U-13;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 38mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 660mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN2056U-7 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0700 0,5950 0,3950 0,3300 0,3070
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 38mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 660mW
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD