DMN2056U-7
Symbol Micros:
TDMN2056U-7 Diodes
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 38mOhm; 4A; 660mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: DMN2056U-13;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 38mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 660mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2056U-7 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9800 | 0,5420 | 0,3600 | 0,3010 | 0,2800 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2056U-7
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
171000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2800 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN2056U-7
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 38mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 660mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |