DMN2991UDJ-7A Diodes Incorporated

Symbol Micros: TDMN2991UDJ-7A
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT963-6
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT963 T&R Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2,4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 520mA
Maksymalna tracona moc: 400mW
Obudowa: SOT963
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN2991UDJ-7A Obudowa dokładna: SOT963-6  
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1383
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 2,4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 520mA
Maksymalna tracona moc: 400mW
Obudowa: SOT963
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD