DMN2991UDJ-7A Diodes Incorporated

Symbol Micros: TDMN2991UDJ-7A
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT963-6
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT963 T&R Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2,4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 520mA
Maksymalna tracona moc: 400mW
Obudowa: SOT963
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 2,4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 520mA
Maksymalna tracona moc: 400mW
Obudowa: SOT963
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD