DMN5L06DWK-7 Diodes

Symbol Micros: TDMN5l06dwk
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
2N-MOSFET 50V 305mA 2Ω 250mW
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 305mA
Maksymalna tracona moc: 250mW
Obudowa: SOT363
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 305mA
Maksymalna tracona moc: 250mW
Obudowa: SOT363
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 50V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Montaż: SMD