DMN601DWK

Symbol Micros: TDMN601DWK
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC70-6
2xN-MOSFET 305mA 60V 200mW 2Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 305mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SC70-5
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 305mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SC70-5
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Montaż: SMD