DMN601DWK

Symbol Micros: TDMN601DWK
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC70-6
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2xN-MOSFET 305mA 60V 200mW 2Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 305mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SC70-5
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN601DWK-7 Obudowa dokładna: SC70-6  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5897
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN601DWK-7 Obudowa dokładna: SC70-6  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5731
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 305mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SC70-5
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta