DMN6068SE-13 Diodes

Symbol Micros: TDMN6068se
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 5,6A; 2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,6A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOT223
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN6068SE-13 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3900 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5600 0,8590 0,6760 0,6260 0,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN6068SE-13 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
48 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5600 0,8590 0,6760 0,6260 0,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,6A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOT223
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD