DMN6068SE-13 Diodes
Symbol Micros:
TDMN6068se
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 5,6A; 2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN6068SE-13 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
48 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6900 | 0,9370 | 0,7400 | 0,6720 | 0,6500 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN6068SE-13
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
256000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6500 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMN6068SE-13
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
8032 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |