DMN6070SSD-13

Symbol Micros: TDMN6070SSD-13 Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3,3A; 1,2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,3A
Maksymalna tracona moc: 1,2W
Obudowa: SOP08
Producent: Diodes Incorporated
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: DMN6070SSD-13 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1900 1,3300 1,0200 0,9220 0,8770
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,3A
Maksymalna tracona moc: 1,2W
Obudowa: SOP08
Producent: Diodes Incorporated
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD