DMN67D8L-7
Symbol Micros:
TDMN67D8L-7 Diodes
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 30V; 7,5Ohm; 230mA; 340mW; -55°C ~ 150°C; DMN67D8L-13;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 230mA |
| Maksymalna tracona moc: | 340mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 230mA |
| Maksymalna tracona moc: | 340mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |