DMP2008UFG-7 Diodes Incorporated
Symbol Micros:
TDMP2008UFG-7 Diodes
Obudowa: POWERDI-8 (PowerDI3333-8)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 17mOhm; 14A; 2,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: DMP2008UFG-13;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 17mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,4W |
| Obudowa: | POWERDI-8 (PowerDI3333-8) |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMP2008UFG-13
Obudowa dokładna: POWERDI-8 (PowerDI3333-8)
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7151 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: DMP2008UFG-7
Obudowa dokładna: POWERDI-8 (PowerDI3333-8)
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6878 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 17mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,4W |
| Obudowa: | POWERDI-8 (PowerDI3333-8) |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |