DMP3017SFGQ-7
Symbol Micros:
TDMP3017SFGQ-7 Diodes
Obudowa: PowerDI3333-8
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; Mosfet, P-Ch, 30V, 11.5A, Powerdi 3333
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 18mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 0,94W |
| Obudowa: | PowerDI3333-8 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 18mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 0,94W |
| Obudowa: | PowerDI3333-8 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |