DMP3097L-7 Diodes Incorporated

Symbol Micros: TDMP3097L-7
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: -3,9A
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: -30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: -20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: -3,9A
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: SOT23
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: -30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: -20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD