DN3525N8-G
Symbol Micros:
TDN3525n8-g
Obudowa: SOT89
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 6Ohm; 360mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 360mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1,6W |
| Obudowa: | SOT89 |
| Producent: | MICROCHIP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 360mA |
| Maksymalna tracona moc: | 1,6W |
| Obudowa: | SOT89 |
| Producent: | MICROCHIP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |