DN3535N8-G Microchip
Symbol Micros:
TDN3535n8-g
Obudowa: SOT89
N-MOSFET 350V 230mA 1.6W 10Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 230mA |
Maksymalna tracona moc: | 1,6W |
Obudowa: | SOT89 |
Producent: | Supertex |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 350V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Microchip
Symbol producenta: DN3535N8-G
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,1164 |
Rezystancja otwartego kanału: | 10Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 230mA |
Maksymalna tracona moc: | 1,6W |
Obudowa: | SOT89 |
Producent: | Supertex |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 350V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |