DN3535N8-G Microchip

Symbol Micros: TDN3535n8-g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
N-MOSFET 350V 230mA 1.6W 10Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 230mA
Maksymalna tracona moc: 1,6W
Obudowa: SOT89
Producent: Supertex
Maksymalne napięcie dren-źródło: 350V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Microchip Symbol producenta: DN3535N8-G Obudowa dokładna: SOT89  
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1164
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 230mA
Maksymalna tracona moc: 1,6W
Obudowa: SOT89
Producent: Supertex
Maksymalne napięcie dren-źródło: 350V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD