DN3545N8-G Microchip

Symbol Micros: TDN3545n8-g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
N-MOSFET 450V 200mA 1.6W 20Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 20Ohm
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Maksymalna tracona moc: 1,6W
Obudowa: SOT89
Producent: Supertex
Maksymalne napięcie dren-źródło: 450V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: Microchip Symbol producenta: DN3545N8-G Obudowa dokładna: SOT89  
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
ilość szt. 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 3,4508
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 20Ohm
Maksymalny prąd drenu: 200mA
Maksymalna tracona moc: 1,6W
Obudowa: SOT89
Producent: Supertex
Maksymalne napięcie dren-źródło: 450V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD