DTA114ECA SOT-23 HT SEMI

Symbol Micros: TDTA114ECA HTSEMI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Transistor: PNP; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; 10kOhm Odpowiednik: PDTA114ET,215;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: HT
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Maksymalny prąd kolektora: 50mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 200mW
Producent: HT
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Maksymalny prąd kolektora: 50mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP