DTA114ESA HT SEMI
Symbol Micros:
TDTA114ESA HTSEMI
Obudowa:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 50V 100mA 300mW Through Hole TO-92S
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | HT |
| Obudowa: | TO92S |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 50mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | HT |
| Obudowa: | TO92S |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 50mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |