FCP11N60
Symbol Micros:
TFCP11N60
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 380mOhm; 11A; 125W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 380mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 125W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FCP11N60
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
950 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,2908 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FCP11N60
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
350 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,1427 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FCP11N60
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
700 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,6233 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 380mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 125W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |