FCP20N60
Symbol Micros:
TFCP20N60
Obudowa: TO220
N-MOSFET 20A 600V 208W 0.19Ω
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 208W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: FCP20N60
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 12,3636 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 208W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |