FCX495TA

Symbol Micros: TFCX495TA
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
Tranzystor NPN; 300; 1W, 150V; 1A; 100MHz, -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 1W
Producent: DIODES
Obudowa: SOT89
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 150V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 1W
Producent: DIODES
Obudowa: SOT89
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 150V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN