FDA69N25

Symbol Micros: TFDA69N25
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3P
N-MOSFET 69A 250V 480W 0.041Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 41mOhm
Maksymalna tracona moc: 480mW
Maksymalny prąd drenu: 69A
Obudowa: TO 3P
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 250V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FDA69N25 Obudowa dokładna: TO 3P  
Magazyn zewnętrzny:
300 szt.
ilość szt. 150+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 10,6557
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 41mOhm
Maksymalna tracona moc: 480mW
Maksymalny prąd drenu: 69A
Obudowa: TO 3P
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 250V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT