FDB035AN06A0

Symbol Micros: TFDB035AN06A0
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 80A 60V 310W 0.0035Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 310W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 3,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 310W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD