FDB2710
Symbol Micros:
TFDB2710
Obudowa: D2PAK
N-MOSFET 50A 250V 260W 0.0425Ω
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 42,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 260W |
| Obudowa: | D2PAK |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDB2710
Obudowa dokładna: D2PAK
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,7679 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDB2710
Obudowa dokładna: D2PAK
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,4887 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 42,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 260W |
| Obudowa: | D2PAK |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |