FDB52N20TM

Symbol Micros: TFDB52n20tm
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 49mOhm
Maksymalny prąd drenu: 52A
Maksymalna tracona moc: 357W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FDB52N20TM RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 8,9000 7,4200 6,5700 6,1700 5,9300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
290
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FDB52N20TM RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
102 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 8,9000 7,4200 6,5700 6,1700 5,9300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 49mOhm
Maksymalny prąd drenu: 52A
Maksymalna tracona moc: 357W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta