FDB52N20TM
Symbol Micros:
TFDB52n20tm
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 49mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 52A |
| Maksymalna tracona moc: | 357W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDB52N20TM RoHS
Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
102 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,2100 | 6,8800 | 6,1200 | 5,6500 | 5,4700 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDB52N20TM
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4700 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDB52N20TM
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4700 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 49mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 52A |
| Maksymalna tracona moc: | 357W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |