FDB52N20TM
Symbol Micros:
TFDB52n20tm
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 49mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 52A |
| Maksymalna tracona moc: | 357W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 49mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 52A |
| Maksymalna tracona moc: | 357W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |