FDB5800

Symbol Micros: TFDB5800
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: D2PAK
N-MOSFET 80A 60V 242W 0.006Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 242W
Obudowa: D2PAK
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FDB5800 Obudowa dokładna: D2PAK  
Magazyn zewnętrzny:
800 szt.
ilość szt. 800+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 6,5788
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 6mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 242W
Obudowa: D2PAK
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD