FDB86135

Symbol Micros: TFDB86135
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: D2PAK
N-MOSFET 75A 100V 2.4W 0.0035Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 75A
Maksymalna tracona moc: 227W
Obudowa: D2PAK
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FDB86135 Obudowa dokładna: D2PAK  
Magazyn zewnętrzny:
800 szt.
ilość szt. 800+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 15,8499
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 3,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 75A
Maksymalna tracona moc: 227W
Obudowa: D2PAK
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD