FDC5614P

Symbol Micros: TFDC5614P
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SSOT6L
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 190mOhm; 3A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 190mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 1,6W
Obudowa: SSOT6L
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 190mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 1,6W
Obudowa: SSOT6L
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD