FDC608PZ
Symbol Micros:
TFDC608PZ
Obudowa: TSOT23-6
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 43mOhm; 5,8A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 43mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,6W |
| Obudowa: | TSOT23-6 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDC608PZ RoHS .608Z
Obudowa dokładna: TSOT23-6 t/r
Stan magazynowy:
230 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 250+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5100 | 1,5900 | 1,2500 | 1,1300 | 1,0900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 43mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,6W |
| Obudowa: | TSOT23-6 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |