FDC6321C
Symbol Micros:
TFDC6321C
Obudowa: TSOT23-6
N/P-MOSFET 0.68A 25V 0.7W 0.45Ω
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 450mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 680mA |
| Maksymalna tracona moc: | 700mW |
| Obudowa: | TSOT23-6 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDC6321C
Obudowa dokładna: TSOT23-6
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8020 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDC6321C
Obudowa dokładna: TSOT23-6
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8020 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDC6321C
Obudowa dokładna: TSOT23-6
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7934 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 450mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 680mA |
| Maksymalna tracona moc: | 700mW |
| Obudowa: | TSOT23-6 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |