FDC6420C SSOT-6
Symbol Micros:
TFDC6420c
Obudowa: SSOT6L
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: FDC6420C-VB;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 184mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 960mW |
| Obudowa: | SSOT6L |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDC6420C RoHS
Obudowa dokładna: SSOT6L
Stan magazynowy:
2975 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,0900 | 3,5700 | 3,0300 | 2,7700 | 2,6800 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDC6420C
Obudowa dokładna: SSOT6L
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,6800 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDC6420C
Obudowa dokładna: SSOT6L
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,6800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 184mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 960mW |
| Obudowa: | SSOT6L |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |